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Home Aeronáutica

Experimenta GE Research con tecnologías para altas temperaturas

Redacción A21 by Redacción A21
6 junio, 2023
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Experimenta GE Research con tecnologías para altas temperaturas

Un grupo de científicos de GE Research establecieron un nuevo récord, demostrando que los transistores semiconductores de óxido metálico (MOSFET) pueden tolerar temperaturas superiores a 800 grados centígrados. 

Esto supone un aumento de al menos 200 grados respecto a las demostraciones de esta tecnología conocidas hasta ahora y muestra el potencial de los MOSFET para soportar futuras aplicaciones en entornos operativos extremos. 

Por lo que también desafía lo que la mayoría de los expertos en electrónica creían que se podía conseguir con estos dispositivos.

Dado que el negocio aeroespacial de GE busca mejorar continuamente el estado de la técnica en sistemas de aviación para sus clientes comerciales y militares actuales y pretende hacer posibles nuevas aplicaciones en apoyo de la exploración espacial y los vehículos hipersónicos, será esencial crear una cartera de productos electrónicos que puedan funcionar en entornos operativos extremos. 

Por más de tres décadas, GE ha construido una cartera líder mundial en tecnología y vende una gama de productos de energía eléctrica basados en el mismo a través del negocio aeroespacial para aplicaciones aeroespaciales, industriales y militares.

Alcanzar el umbral de alta temperatura con los MOSFET abrirá un nuevo abanico de aplicaciones de detección, actuación y control para la exploración espacial y los vehículos hipersónicos. 

“Sabemos que, para romper nuevas barreras con la exploración espacial y los viajes hipersónicos, necesitaremos sistemas electrónicos robustos y fiables que puedan soportar el calor extremo y los entornos operativos. Creemos que hemos batido un récord, demostrando unos MOSFETS a 800 grados C que representan un hito clave hacia estos objetivos de misión crítica”, declaró Emad Andarawis, Ingeniero Principal de Microelectrónica de GE Research.

Es muy importante ya que, los MOSFET SiC de GE podrían contribuir al desarrollo de sensores, accionamientos y controles más robustos que abran nuevas posibilidades en la exploración espacial y permitan el control y la supervisión de vehículos hipersónicos que viajen a velocidades de MACH 5, o superiores a 3,500 millas por hora (MPH). 

Es decir, más de seis veces la velocidad a la que viaja actualmente un típico vuelo comercial de pasajeros.

Actualmente el equipo colabora en un proyecto con la NASA para aplicar la novedosa tecnología de fotodiodos al desarrollo y demostración de un generador de imágenes ultravioleta que mejore las misiones espaciales a la superficie de Venus.

Tags: GE Research

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